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除了大家都知道的光刻機(jī)，半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)中還需要各種設(shè)備，國(guó)內(nèi)的中微半導(dǎo)體設(shè)備公司已經(jīng)能夠生產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備，其5nm刻蝕機(jī)已經(jīng)批量生產(chǎn)，用于臺(tái)積電的5nm生產(chǎn)線中。
中微半導(dǎo)體上周末發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)，全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.47億元，同比增長(zhǎng)18.77%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.89億元，同比增長(zhǎng)107.51%。
根據(jù)該公司年報(bào)，中微公司開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶65納米到7納米的芯片生產(chǎn)線上。
同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開發(fā)出5納米刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)知名客戶的批量訂單——雖然中微沒有明說，但是這家客戶就是臺(tái)積電，也只有他們量產(chǎn)了5nm工藝。
目前公司正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。
在3D閃存領(lǐng)域，中微半導(dǎo)體電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時(shí)根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。
此外，中微公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)。
根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。
中微半導(dǎo)體上周末發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)，全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.47億元，同比增長(zhǎng)18.77%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.89億元，同比增長(zhǎng)107.51%。
根據(jù)該公司年報(bào)，中微公司開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶65納米到7納米的芯片生產(chǎn)線上。
同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開發(fā)出5納米刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)知名客戶的批量訂單——雖然中微沒有明說，但是這家客戶就是臺(tái)積電，也只有他們量產(chǎn)了5nm工藝。
目前公司正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。
在3D閃存領(lǐng)域，中微半導(dǎo)體電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時(shí)根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。
此外，中微公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)。
根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。
